Vishay 推出一款采用無(wú)引線(xiàn)鍵合(BWL)封裝并具有業(yè)內先進(jìn)導通電阻的新款 80 V TrenchFET® Gen IV N 溝道功率 MOSFET,旨在提高工業(yè)應用的效率。與相同尺寸的競品器件相比,Vishay Siliconix SiEH4800EW 的導通電阻低 15 %,而 RthJC 低 18 %。
該器件在 10 V 下的導通電子典型值為 0.88 mΩ,最大限度降低了傳導造成的功率損耗,從而提高了效率,同時(shí)以低至 0.36 ℃/W 的最大 RthJC 改善了熱性能。這款節省空間的器件體積為 8 mm x 8 mm,與采用 TO-263 封裝的 MOSFET 相比,PCB 面積減少 50 %,而且其厚度僅為 1 mm。
SiEH4800EW 采用融合的焊盤(pán),將源焊盤(pán)的可焊面積增加到 3.35 mm2,比傳統 PIN 焊接面積大四倍。這降低了 MOSFET 和 PCB 之間的電流密度,從而降低了電遷移的風(fēng)險,使設計更加可靠。此外,器件易于吸附焊錫的側翼增強了可焊性,同時(shí)更容易通過(guò)目視檢查焊點(diǎn)的可靠性。
這款 MOSFET 非常適合同步整流和 Oring 應用。典型應用包括電機驅動(dòng)控制器、電動(dòng)工具、焊接設備、等離子切割機、電池管理系統、機器人和 3D 打印機。在這些應用中,該器件可在 + 175 ℃ 的高溫下工作,而其 BWL 設計可將寄生電感降至最低,同時(shí)使電流能力最大化。
MOSFET 符合 RoHS 標準,無(wú)鹵素,并且經(jīng)過(guò) 100 % 的 Rg 和 UIS 測試。
對比表:D2PAK、PowerPAK 8x8L 和 PowerPAK 8x8SW 對比
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